规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
1,000 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
55V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
33A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
18 mOhm @ 12A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
2V @ 90µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
90nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
1730pF @ 25V |
功率 - 最大 |
120W |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
供应商器件封装 |
P-TO220-5 |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
5TO-220AB SMD |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
55 V |
最大连续漏极电流 |
33 A |
RDS -于 |
18@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
典型导通延迟时间 |
15 ns |
典型关闭延迟时间 |
30 ns |
典型下降时间 |
20 ns |
工作温度 |
-40 to 175 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
RoHS Compliant |
晶体管极性 |
N-Channel |
漏源击穿电压 |
55 V |
连续漏极电流 |
33 A |
抗漏源极RDS ( ON) |
18 mOhms |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 175 C |
安装风格 |
Through Hole |
封装/外壳 |
TO-220AB SMD |
封装 |
Reel |
最低工作温度 |
- 40 C |
功率耗散 |
120000 mW |
工厂包装数量 |
1000 |
零件号别名 |
BTS247ZE3062AATMA1 BTS247ZE3062ANTMA1 SP000012187 |
寿命 |
NRND: Not recommended for new designs. |
FET特点 |
Logic Level Gate |
安装类型 |
Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
33A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
2V @ 90µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
55V |
供应商设备封装 |
P-TO220-5 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
18 mOhm @ 12A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
120W |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
1730pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
90nC @ 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
栅源电压(最大值) |
�20 V |
漏源导通电阻 |
0.018 ohm |
工作温度范围 |
-40C to 175C |
包装类型 |
TO-220 |
引脚数 |
4 +Tab |
极性 |
N |
类型 |
Power MOSFET |
元件数 |
1 |
工作温度分类 |
Automotive |
漏源导通电压 |
55 V |
弧度硬化 |
No |